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型号 SI1926DL-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSF N CH DUAL D-S 60V SC-70-6
SI1926DL-T1-E3 PDF
代理商 SI1926DL-T1-E3
标准包装 1
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 N 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 370mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 1.4 欧姆 @ 340mA，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 1.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 18.5pF @ 30V
功率 - 最大 510mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装 SC-70-6
包装 标准包装
其它名称 SI1926DL-T1-E3DKR
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